买卖IC网 >> 产品目录 >> BC847BDW1T1 两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

BC847BDW1T1

库存数量:可订货
制造商:ON Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN
RoHS:
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参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN
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制造商 ON Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
集电极—射极饱和电压 45 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 200 at 2 mA at 5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SC-70-6
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  • BC847BDW1T1 参考价格
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